LICVD (Laser-Induced Chemical Vapor Deposition) využívá energie laseru[1,2] k ohřevu substrátu na požadovanou teplotu. Dostatečné teploty substrátu je vždy dosaženo pouze v malém objemu v blízkosti místa dopadu paprsku, z tohoto důvodu má deponovaný produkt kruhový tvar se zvýšeným středem. Pohybující se paprsek laseru pak dokáže vytvořit lineární deposit a při vhodných podmínkách i monokrystalický útvar.
Laser umožňuje velmi přesné zaměření místa, kde bude depozice probíhat, proto je možné tuto metodu využít i při konstrukci a opravách mikroelektronických součástek.[3] Pro tuto aplikaci je pochopitelně nutné používat prekurzory, které zaručí velmi vysokou kvalitu a čistotu vznikajících vrstev. Např. pro přípravu hliníkových vrstev je nevhodným prekurzorem trimethylalan, protože vzniklý hliník je kontaminován uhlíkem, mnohem vhodnější je tris(isobutyl)alan. Pro depozici měděných vrstev se využívá jako prekurzor komplex bis(1,1,1,5,5,5-hexafluoroacetylacetonát)měďnatý.
Literatura
- http://cs.wikipedia.org/wiki/Laser
- http://en.wikipedia.org/wiki/Laser
- Baum, T.H,; Comita, P.B. Thin Solid Films 1992, 218, 80-94. Laser-induced chemical vapor deposition of metals for microelectronics technology.