Nejmenší tranzistor

Povedlo se vyrobit dosud nejmenší tranzistor, velikost brány (gate) je pouhý jeden nanometr. Tím se zároveň povedlo dokázat, že očekávaná spodní hranice rozměru tranzistoru není 5 nm, ale leží nížeji, takže je tu stále prostor pro inovace.

Spodní hranice rozměrů pro křemíkové tranzistory je 5 nm, proto se hledají jiné materiály, které by tuto hranici mohly snížit. Pro konstrukci tranzistoru byl využit sulfid molybdeničitý a uhlíkové nanotrubičky.

Struktura MoS2. Zdroj: https://en.wikipedia.org/wiki/File:Molybdenite-3D-balls.png

Struktura MoS2. Zdroj: https://en.wikipedia.org/wiki/File:Molybdenite-3D-balls.png

Struktura tranzistoru byla tvořena kanálem z MoS2, vrstvou dielektrika tvořenou ZrO2 a bránou z SWCNT (Single Walled Carbon NanoTube). Byl umístěn na 50 nm substrátu z SiO2/Si. Délka brány byla přibližně 1 nm. SWCNT byly na substrátu vytvořeny pomocí CVD.

Zatím jde pouze o koncept, tranzistor není určen pro sériovou výrobu a je potřeba dořešit spoustu praktických problémů, ale jde o velmi důležitý objev so with this clearing snow can be fun.

Odkazy

  1. Smallest. Transistor. Ever.
  2. MoS2 transistors with 1-nanometer gate lengths

Leave a Reply