Princip CVD

CVD je syntetický proces, během kterého dochází k reakci plynných chemických látek v blízkosti nebo na povrchu žhaveného substrátu. Produktem je pevný film na povrchu substrátu. CVD je kombinací několika vědeckých disciplín, např. termodynamiky, kinetiky, fyziky plazmatu, dynamiky tekutin a v neposlední řadě také chemie.

CVD využívá velké množství chemických reakcí. Nejčastěji se jedná o pyrolýzu, redukci, disproporcionaci, oxidaci, hydrolýzu, nitridaci, … Nejčastěji se setkáme s kombinací více typů reakcí. Pro iniciaci těchto reakcí můžeme využít např.:

  • Termickou aktivaci – typicky se dosahuje velmi vysokých teplot (nad 900 °C), pouze v případě organokovových prekurzorů (MOCVD) se pracuje s nižšími teplotami.
  • Aktivaci plasmatem – touto metodou se dosahuje teplot 300–500 °C.
  • Fotoaktivaci – ultrafialové záření může způsobit aktivaci reaktantů nebo meziproduktů.

Podle tlaku během depozice rozlišujeme tři typy CVD:

  • APCVD – CVD za atmosférického tlaku (Atmospheric Pressure CVD)
  • LPCVD – CVD za sníženého tlaku (Low Pressure CVD)
  • UHVCVD – CVD za velmi vysokého vakua (Ultra High Vacuum CVD)

V dnešní době jsou možnosti jak provádět CVD velmi široké. Teplota depozice se obvykle pohybuje v rozsahu 200 – 1600 °C a v rozsahu tlaků od velmi vysokého vakua až po tlak vyšší než atmosférický.

Další kapitoly

Napsat komentář