Tunelová dioda

Vydáno: 06. 02. 2012; Poslední aktualizace: 09. 11. 2023; Autor: Zdeněk Moravec

Tunelová dioda (Esakiho dioda) je dvojpólová součástka tvořená přechodem PN. Značným přídavkem příměsí do materiálu PN přechodu, se dosáhlo velmi tenké potenciálové bariéry. U běžných diod se musí při propustné polarizaci snížit vnějším napětím potenciálová bariéra. U tunelové diody existují nosiče, které přechodem projdou (tunelují), i když zůstane potenciálová bariéra stejná. Voltampérová charakteristika strmě stoupá již od počátku, až dosáhne určité velikosti proudu Iv. Po dosažení určitého napětí na přechodu již přestává být splněna podmínka pro vznik tunelového jevu a proud klesá. Se vzrůstajícím napětím klesá proud až k určité velikosti proudu Ip a potom se již dioda chová podobně jako normální dioda v propustném směru.

Voltampérová charakteristika tunelové diody. Zdroj: Mcguireatneuroticadotcom/Commons

Součástky, u nichž se vyskytuje oblast záporného odporu, lze používat v obvodech, u nichž se určitým uspořádáním dosahuje dvou stabilních stavů.

Náhradní zapojení tunelové diody

Pro impulsové aplikace je velmi důležité, že v oblasti vrcholu voltampérové charakteristiky tunelové diody je proud nesen tzv. tunelujícími nosiči. Rychlost pohybu těchto nosičů je nepoměrně větší než rychlost difúzního pohybu menšinových nosičů v polovodivém materiálu. Tato skutečnost je velmi důležitá při řešení obvodu s tunelovými diodami; vyplývá z ní, že samotný přechod tunelové diody lze nahradit odporovým dvojpólem až do nanosekundové oblasti. Činitele omezující rychlost obvodů s tunelovými diodami jsou buď ve vnějších částech mimo vlastní diodu, nebo jsou dány parazitními parametry samotné tunelové diody. Tzn., že jde o indukčnosti přívodů, popř. o kapacitu přechodu, nikoli však o kapacitu difúzní.

Další kapitoly

Leave a Reply

Tato stránka používá Akismet k omezení spamu. Podívejte se, jak vaše data z komentářů zpracováváme..