Integrované obvody DTL

Vydáno: 06. 02. 2012; Poslední aktualizace: 23. 01. 2019; Autor: Zdeněk Moravec

Jde o logické obvody s diodovou logikou (Diode Transistor Logic). Na obrázku je zapojení integrovaného obvodu realizujícího funkci NAND.

Obvod DTL z diskrétních součástek

Obvod DTL z diskrétních součástek

Vstupní diody spolu s odporem R1 pracují jako diodový logický součin, jehož výstupní funkci neguje tranzistor T1, zapojený jako invertor. Jsou-li všechny vstupní svorky na úrovni 1, tranzistor T1 se přes posouvací diody D3 a D4 otevře a na výstupu obvodu je úroveň 0. Přivedením úrovně 0 alespoň na jeden vstup obvodu budou anody vstupních diod D1 a D2 téměř na nulovém potenciálu a tranzistor T1 se uzavře. Na výstupu obvodu bude úroveň 1. Tzv. posouvací diody D3 a D4 zajišťují dokonalé uzavření tranzistoru a zvyšují šumovou imunitu obvvodu tím, že svým prahovým napětím zvyšují nutnou napěťovou úroveň pro otevření tranzistoru.

Rychlé uzavření tranzistoru zajistíme rychlým odvedením přebytečného náboje z jeho báze. V integrovaných obvodech se proto používá zapojení podle obr. dole. Tranzistor T1 pracuje v nenasyceném stavu (čehož je dosaženo připojením kolektoru mezi odpory R1 a R2), zvyšuje též proudové zesílení, a tak umožňuje zvýšit logcký zisk obvodu.

Integrovaný obvod DTL

Integrovaný obvod DTL

Napájecí napětí těchto obvodů bývá asi 5 V, logický zisk N=10, šumová imunita asi 0,8 V, zpoždění 10 až 30 ns.

Literatura

  1. Transistor Component Circuits – IBM

Leave a Reply

Tato stránka používá Akismet k omezení spamu. Podívejte se, jak vaše data z komentářů zpracováváme..