Technika MOCVD je poměrně mladá. První publikace se objevily v šedesátých letech minulého století. Jak název napovídá, jako prekurzory se používají organokovové látky.
Tato metoda nachází uplatnění převážně v polovodičovém průmyslu. V této oblasti jsou velmi přísné požadavky na čistotu, proto je nutné aby prekurzory splňovali následující podmínky:
- musí být těkavé
- mezi vypařováním a dekompozicí musí být dostatečně velký rozdíl teplot
- dekompozice prekurzoru musí probíhat čistě – vedlejší produkty nesmí kontaminovat vzniklý film
- dekompozice musí probíhat při rozumně nízké teplotě
- látka musí být stabilní v roztoku, aby ji šlo dopravit do reaktoru
- snadná příprava (dobrý výtěžek, čistota, cena)
Bohužel najít prekurzor, který by splňoval všechny podmínky je obtížné.
Prekurzory pro MOCVD
Mezi nejpoužívanější prekurzory patří sloučeniny s alkylovými zbytky. Jsou to nepolární, těkavé kapaliny. Dekompozice látek s methylovými substituenty začíná přibližně při 200 °C, v případě ethylového zbytku se teplota snižuje na 110 °C.
Často se také využívají alicyklické sloučeniny. Např. cyklopentadienyl magnesium.
Další důležitou skupinou prekurzorů jsou acetylacetonáty. Tyto látky jsou odvozeny od 2,4-pentadionu. Mezi jejich největší výhody patří stálost na vzduch a také snadná příprava.
Využití produktů připravených pomocí MOCVD
Zde je několik příkladů využití MOCVD v praxi:
- GaAs/AlGaAs – fotokatody, solární články, lasery, vysokovýkonové LED, MESFET (Metal-Semiconductor Field Effect Transistor)[1]
- InP/InGaAsP – dlouhovlnné lasery, solární články, detektory
- InP/InGaAs – solární články, detektory
- GaAs/AlGaInP – viditelné lasery, oranžové LED
- HgCdTe – MCT detektory infračerveného záření