CVD je syntetický proces, během kterého dochází k reakci plynných chemických látek v blízkosti nebo na povrchu žhaveného substrátu. Produktem je pevný film na povrchu substrátu. CVD je kombinací několika vědeckých disciplín, např. termodynamiky, kinetiky, fyziky plazmatu, dynamiky tekutin a v neposlední řadě také chemie.
CVD využívá velké množství chemických reakcí. Nejčastěji se jedná o pyrolýzu, redukci, disproporcionaci, oxidaci, hydrolýzu, nitridaci, … Nejčastěji se setkáme s kombinací více typů reakcí. Pro iniciaci těchto reakcí můžeme využít např.:
- Termickou aktivaci – typicky se dosahuje velmi vysokých teplot (nad 900 °C), pouze v případě organokovových prekurzorů (MOCVD) se pracuje s nižšími teplotami.
- Aktivaci plasmatem – touto metodou se dosahuje teplot 300–500 °C.
- Fotoaktivaci – ultrafialové záření může způsobit aktivaci reaktantů nebo meziproduktů.
Podle tlaku během depozice rozlišujeme tři typy CVD:
- APCVD – CVD za atmosférického tlaku (Atmospheric Pressure CVD)
- LPCVD – CVD za sníženého tlaku (Low Pressure CVD)
- UHVCVD – CVD za velmi vysokého vakua (Ultra High Vacuum CVD)
V dnešní době jsou možnosti jak provádět CVD velmi široké. Teplota depozice se obvykle pohybuje v rozsahu 200–1600 °C a v rozsahu tlaků od velmi vysokého vakua až po tlak vyšší než atmosférický.