V této přednášce bude stručně popsán princip epitaxního růstu z hlediska přípravy polovodičových nano-hetero-struktur, jmenovitě kvantových jam (QWs) a kvantových teček (QDs), které se připravovaly i na našem pracovišti v posledních 30 letech.
Vlastnosti některých typů součástek, v nichž se používají QWs a QDs budou popsány. Konkrétně se jedná o rezonanční tunelové diody s QWs, telekomunikační QD lasery, QD jedno-fotonové zdroje, QD jedno-elektronové tranzistory, kvantové kaskádové lasery ve srovnání s heterostrukturními lasery druhého typu s pásovou strukturou tvaru W a tandemové fotovoltaické struktury s QWs. V závěru přednášky bude předveden pokus o věštění, co bude za deset dvacet let.
Datum a čas: Čtvrtek 8. 4. 2021 16:15
Přednáší: Prof. Ing. Eduard Hulicius, CSc. (Fyzikální ústav AV ČR)
Ilustrace: Znázornění procesu růstu polovodičové epitaxní vrstvy