Nová metoda přípravy borofenu

Teoretici z Riceovy univerzity objevili novou metodu, která by mohla usnadnit přípravu borofenu, 2D modifikace boru. Zatím je pouze teoretická, ale mohla by mít v budoucnu velké uplatnění.[1,2]

Borofen je borový analog grafenu, vrstva tvořená atomy bóru o tloušťce jednoho atomu.[3] Standardně se připravuje depozicí atomů boru na povrch kovu, např. Ag(111),[4] Au(111), Cu(111) nebo Ir(111) v ultravysokém vakuu.

Nová metoda ukazuje, že výhodnější bude využití hexagonálního nitridu boritého (hBN) jako substrátu pro růst borofenových vrstev. Růst vrstvy probíhá na okrajích schodků na povrchu hBN substrátu.

Výhodou tohoto přístupu je pouze slabá interakce mezi substrátem a borofenem. To usnadní izolaci produktu.

Růst borofenu na hBN. Zdroj: Rice University

Jako substrát byl testován i grafen, ale tam výpočty ukazují, že by umožňoval spíše tvorbu izolovaných atomů nebo dvojic atomů boru, ne tvorbu borofenové vrstvy.

Odkazy

  1. Weak bonds a strength in making borophene
  2. Step-Edge Epitaxy for Borophene Growth on Insulators
  3. Borofen
  4. Synthesis of borophenes: Anisotropic, two-dimensional boron polymorphs

Leave a Reply

Tato stránka používá Akismet k omezení spamu. Podívejte se, jak vaše data z komentářů zpracováváme..