Memristory jsou relativně nové a velmi perspektivní elektronické součástky. Jejich vývojem se dlouhodobě zabývá např. společnost HP. Teoreticky byl memristor navržen už v 70. letech 20. století, ale praktická realizace přišla až za několik desítek let (2008).[1] Problémem současných memristorů je jejich pomalost a malá výdrž.
- Memristor
- Memristor je považován za čtvrtý základní elektronický prvek (po rezistoru, kondenzátoru a cívce). Jde o proměnný rezistor, jehož odpor je závislý na náboji, kterým jím prošel. Proto ho lze využít jako paměťový prvek. Nelze jej nahradit žádnou kombinací ostatních základních prvků.
- Ruthenium
- Ruthenium, Ru, je přechodný prvek patřící mezi platinové kovy. Stejně jako ostatní platinové kovy je poměrně nereaktivní.
Nově vyvinutý meristor, který byl vyroben na University of Singapore, dokáže velmi rychle měnit hodnotu odporu (za dobu než 30 ns), vydrží více než 1012 cyklů a informaci udrží déle než 106 s.[2,3] Základem nového memristoru je komplex ruthenia a 2-(fenylazo)pyridinového ligandu (obr. 1), mer-[Ru(L)3](PF6)2, L označuje ligand, mer je označení meridiálního izomeru.[4]
Připravený memristor nevykazuje degradaci ani po 1012 cyklech, rozdíl odporů mezi stavy 0 a 1 je dostatečně velký, aby byl přesně měřitelný a lze jej připravit na ploše o velikosti 60 nm2. Tento objev by proto mohl znamenat významný průlom ve vývoji memristorových pamětí.