Křemík se v elektronice využívá už hodně dlouhou dobu, ale pro ani křemík, ani odvozené materiály nejsou moc výhodné pro aplikace, kde je vyžadována emise světla. V nové práce je popsána metoda přípravy slitiny SiGe, která je pro tyto aplikace velmi výhodná.[1-3]
Vědci se pokusili o výrobu křemíkového nebo germaniového laseru, ale křemík krystaluje v kubické soustavě, která není vhodná pro světelnou emisi.
Proto bylo nutné připravit křemík a germanium v hexagonální modifikaci, což není úplně snadné, poprvé se to povedlo realizovat až v roce 2015.[4] Nejprve byl připraven hexagonální templát, který bude sloužit k formování konečného materiálu. Jako templát byl připraven hexagonální GaAs metodou MOVPE (Metal-Organic Vapor Phase Epitaxy), jako prekurzory byly použity trimethylgallan (Me3Ga) a arsan (AsH3), růst probíhal na zlatém katalyzátoru. Vzniklý hexagonální GaAs byl nejprve zbaven zlata (pomocí kyanidu), aby nedošlo ke kontaminaci SiGe a poté byl využit jako templát, který určuje tvar finálního produktu.
SiGe byl připraven opět pomocí MOVPE, prekurzory byly tentokrát german (GeH4) a disilan (Si2H6).
Takto připravená slitina SiGe se může stát základem nového typu LASERu, na kterém se v současnosti už pracuje. Potenciální využití je např. v autonomních vozidlech, chemických senzorech pro medicínu, atd.