Nejmenší tranzistor

Povedlo se vyrobit dosud nejmenší tranzistor, velikost brány (gate) je pouhý jeden nanometr. Tím se zároveň povedlo dokázat, že očekávaná spodní hranice rozměru tranzistoru není 5 nm, ale leží nížeji, takže je tu stále prostor pro inovace.
Continue reading

MoS2 vykazuje supravodivost i v silném externím magnetickém poli

V oblasti vývoje supravodičů se často objevují zprávy o materiálech, které jsou supravodivé za rekordně vysokých teplot, ale mimo kritické teploty (TC) je důležitým parametrem i kritické magnetické pole, v kterém je materiál supravodivý. Tento parametr limituje praktické využití materiálu. V silném magnetickém poli může dojít, a také od jeho určité intenzity dochází, k zániku Cooperových párů a tím i supravodivosti materiálu.

Continue reading